Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28.5 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® 1212-8S
Рассеиваемая мощность (максимальная)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1380 pF @ 40 V