SISS588DN-T1-BE3
SISS588DN-T1-BE3
SISS588DN-T1-BE3
Номер детали:
SISS588DN-T1-BE3
Категория:
-
Производитель:
Описание:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET 150
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
7600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$2.2
$2.2
10+
$1.4
$14
100+
$0.95
$95
500+
$0.75
$375
1000+
$0.71
$710
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
28.5 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
PowerPAK® 1212-8S
Корпус
PowerPAK® 1212-8S
Рассеиваемая мощность (максимальная)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1380 pF @ 40 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-