TP65H150G4LSG-TR
Номер детали:
TP65H150G4LSG-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
650 V 13 A GAN FET
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
5511
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$6.41
$6.41
10+
$4.29
$42.9
100+
$3.09
$309
500+
$3.03
$1515
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
52W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8 nC @ 10 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Устройство Корпус
3-PQFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.8V @ 500µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
598 pF @ 400 V
Корпус
3-PowerTDFN
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код