Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.2A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
3.5 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
41.6W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
8-PQFN (5x6)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.8V @ 500µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
400 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V