TP65H300G4LSGB-TR
Номер детали:
TP65H300G4LSGB-TR
Категория:
-
Производитель:
Описание:
GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
2782
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$4.6
$4.6
10+
$3.03
$30.3
100+
$2.13
$213
500+
$1.94
$970
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.5A (Tc)
Vgs (макс.)
±12V
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Корпус
8-VDFN Exposed Pad
Рассеиваемая мощность (максимальная)
21W (Tc)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.8 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
730 pF @ 400 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.8V @ 500µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V
Поставщик Устройство Корпус
8-PQFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
312mOhm @ 6.5A, 6V
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код