Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V, 10V
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
24mOhm @ 12A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2160 pF @ 50 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
25.8A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
23.2 nC @ 5 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta), 31.2W (Tc)