Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
89 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 30A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Ta), 100A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
SPPAK 5X6
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4768 pF @ 80 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
6W (Ta), 187.5W (Tc)