XP10P135YT
XP10P135YT
XP10P135YT
Номер детали:
XP10P135YT
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET P CH -100V -3.4A PMPAK3X
Корпус:
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 3000
Кол-во
Цена
Итого
3000+
$0.25
$750
6000+
$0.23
$1380
9000+
$0.22
$1980
15000+
$0.22
$3300
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.13W (Ta)
Корпус
8-PowerTDFN
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2600 pF @ 50 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
46.4 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (3x3)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 3A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.4A (Ta), 9.5A (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-