Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.13W (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2600 pF @ 50 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
46.4 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (3x3)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
135mOhm @ 3A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.4A (Ta), 9.5A (Tc)