Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 59.5W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
54.4 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6880 pF @ 15 V
Поставщик Устройство Корпус
8-PMPAK (5x6)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
22A (Ta), 75A (Tc)