XP4NA2R2HCST

XP4NA2R2HCST
XP4NA2R2HCST
Номер детали:
XP4NA2R2HCST
Категория:
-
Производитель:
Описание:
MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 3000
Кол-во
Цена
Итого
3000+
$0.43
$1290
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
80 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Корпус
SC-100, SOT-669
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4000 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус
SPPAK 5X6
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.28mOhm @ 40A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
5W (Ta), 96.1W (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-