Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
105 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
8V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.8V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5800 pF @ 40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Ta), 216A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
7.5W (Ta), 214W (Tc)