Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1700 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
26A (Tj)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 5mA (Typ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
28W (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
40mOhm @ 8A, 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3500 pF @ 200 V