Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
145 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN-EP (3.3x3.3)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.65V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
5400 pF @ 15 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
46A (Ta), 190A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
4.1W (Ta), 69W (Tc)