Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
18 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.25V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
600 pF @ 15 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN-EP (3x3)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
13.6A (Ta), 20A (Tc)