Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.9V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
8V, 10V
Корпус
8-PowerSMD, Flat Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
7.3W (Ta), 208W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
19A (Ta), 102A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3440 pF @ 75 V