Тип полевого транзистора
N-Channel
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рабочая температура
175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
33A
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.9V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
90 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
930 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
135W