Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16 nC @ 5 V
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Ta)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
85mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 5mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
810 pF @ 200 V