CC-CN-23-0123
CC-CN-23-0123
CC-CN-23-0123
Номер детали:
CC-CN-23-0123
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SiC MOSFET 20A 1200V TO-247-3
Корпус:
Упаковка:
Bulk
Количество:
15
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 5
Кол-во
Цена
Итого
5+
$7.7
$38.5
10+
$6.6
$66
100+
$6.05
$605
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
FET Особенности
-
Корпус
TO-247-3
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
16 nC @ 5 V
Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Ta)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
85mOhm @ 10A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 5mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
810 pF @ 200 V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-