Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
160A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
750W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 10mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V, 20V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 20V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247HC-4L