Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
48A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
160 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 7mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
13.8 nC @ 5 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1386 pF @ 100 V
Поставщик Устройство Корпус
24-BGA (4.6x2.6)