Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
480W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
129A (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id
5.1V @ 17.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
124 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4050 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
16mOhm @ 57A, 18V