IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1
IMZA120R012M2HXKSA1
Номер детали:
IMZA120R012M2HXKSA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IMZA120R012M2HXKSA1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$26.94
$26.94
30+
$17.28
$518.4
120+
$16.72
$2006.4
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Рассеиваемая мощность (максимальная)
480W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
129A (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id
5.1V @ 17.8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
124 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
4050 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
16mOhm @ 57A, 18V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-