IMZA120R053M2HXKSA1
Номер детали:
IMZA120R053M2HXKSA1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IMZA120R053M2HXKSA1
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$10.67
$10.67
30+
$6.31
$189.3
120+
$5.35
$642
510+
$5.06
$2580.6
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
38A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Корпус
TO-247-4
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
182W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V, 18V
Vgs (макс.)
+23V, -7V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (макс.) при Id
5.1V @ 4.1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
30 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1010 pF @ 800 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
69mOhm @ 13A, 18V
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код