Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
56 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V, 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3000 pF @ 20 V
Поставщик Устройство Корпус
PG-TDSON-8
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Ta), 115W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
1.15mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.15V @ 46µA