Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 2.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 4.5V