Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
78A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN5060-8