Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1972 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.61W (Ta), 79W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
27.2A (Ta), 127A (Tc)