Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3100 pF @ 25 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
50 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 90µA
Поставщик Устройство Корпус
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
28A (Ta), 130A (Tc)