Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 80µA
Поставщик Устройство Корпус
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
33.7 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2164 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.7W (Ta), 79W (Tc)