Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.25W (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.6A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Vgs(th) (макс.) при Id
1.3V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
72mOhm @ 3.6A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
633 pF @ 15 V