Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
190 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
9400 pF @ 25 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252AA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
18A (Ta), 135A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Ta), 176W (Tc)