PJD100P04E-AU_L2_006A1
PJD100P04E-AU_L2_006A1
PJD100P04E-AU_L2_006A1
Номер детали:
PJD100P04E-AU_L2_006A1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$3.74
$3.74
10+
$2.44
$24.4
100+
$1.7
$170
500+
$1.46
$730
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
9400 pF @ 25 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252AA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
18A (Ta), 135A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Ta), 176W (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-