Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2200 pF @ 25 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
45 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN3333-8
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.8A (Ta), 43A (Tc)