PJQ4455P-AU_R2_002A1
PJQ4455P-AU_R2_002A1
PJQ4455P-AU_R2_002A1
Номер детали:
PJQ4455P-AU_R2_002A1
Категория:
-
Производитель:
Описание:
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.36
$1.36
10+
$0.86
$8.6
100+
$0.57
$57
500+
$0.44
$220
1000+
$0.4
$400
2000+
$0.37
$740
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип полевого транзистора
P-Channel
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2200 pF @ 25 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±25V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
45 nC @ 10 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Корпус
8-PowerVDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
DFN3333-8
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.8A (Ta), 43A (Tc)
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-