Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-6
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.8A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.1V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.8A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
550 pF @ 15 V