Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
2W (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-6
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10 nC @ 4.5 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7.4A (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
720 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.4A, 4.5V