RQ3P120BLFRATCB
RQ3P120BLFRATCB
RQ3P120BLFRATCB RQ3P120BLFRATCB
Номер детали:
RQ3P120BLFRATCB
Категория:
-
Производитель:
Описание:
NCH 100V 12A, HSMT8AG, POWER MOS
Корпус:
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество:
3000
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$1.78
$1.78
10+
$1.13
$11.3
100+
$0.75
$75
500+
$0.59
$295
1000+
$0.54
$540
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
40W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
6.8 nC @ 10 V
Корпус
8-PowerVDFN
Поставщик Устройство Корпус
8-HSMT (3.2x3)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
360 pF @ 50 V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 843µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
62mOhm @ 12A, 10V
Новейшие продукты
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
Central Semiconductor Corp
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-