Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
27A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
69W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
13.6 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
8-HSMT (3.2x3)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
760 pF @ 50 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
29mOhm @ 27A, 10V