Рабочая температура
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200V (1.2kV)
Мощность - Максимальная
20mW
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
190A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.56mOhm @ 190A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.55V @ 60mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
420nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
10100pF @ 850V
Корпус
11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm)
Поставщик Устройство Корпус
PG-MDIP-11-1