Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
FET Особенности
Logic Level Gate
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Корпус
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поставщик Устройство Корпус
SOT-363
Vgs(th) (макс.) при Id
1.1V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
115pF @ 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
520mOhm @ 1A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.25nC @ 4.5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
660mA (Tc)
Мощность - Максимальная
150mW (Tc)