NXVF6532M3TG01
Номер детали:
NXVF6532M3TG01
Категория:
-
Производитель:
Описание:
SIC POWER MOSFET MODULE 650V, 32
Корпус:
Упаковка:
Tube
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
PDF:
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
31A (Tc)
Конфигурация
4 N-Channel (Full Bridge)
Технология
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
44mOhm @ 15A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 7.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
58nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1215pF @ 400V
Мощность - Максимальная
65.2W (Tj)
Корпус
13-SSIP Exposed Pad, Formed Leads
Поставщик Устройство Корпус
APM16
Новейшие продукты
info@lionfly.com.hk
244423507
0755-8255-7985
17374293080
LinkedIn
Shirley@lionfly.com.hk;Mosica@lionfly.com.hk
Сканируйте QR-код