Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
39mOhm @ 5A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
8.4nC @ 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 26µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
6.1A (Ta), 21A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
520pF @ 50V
Мощность - Максимальная
3.2W (Ta), 36W (Tc)