Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
26nC @ 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1800pF @ 50V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 97µA
Мощность - Максимальная
3.1W (Ta), 84W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
11.6A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 17A, 10V