Тип монтажа
Surface Mount
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная
-
Конфигурация
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9A (Tj)
Поставщик Устройство Корпус
14-PQFN (6x8)
Напряжение сток-исток (Vdss)
750V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 6V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.75V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.9nC @ 6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
53.5pF @ 400V